고성능 금속

4N5 정제 인듐

인듐 산업 체인의 초석, 순도 99.995%

산침·불순물 제거·치환 반응·전해 정제의 4단계 공정으로 순도 99.995%의 4N5 정제 인듐을 생산하며, Sn은 10ppm 이하, Tl·Cd

귀금속 타깃

금 타깃 및 금 입자

금·은·백금 등 귀금속 스퍼터링 타깃

구리 및 구리합금 관

구리 및 구리합금 관 시리즈

동관·황동관·백동관 등 각종 구리 및 구리합금 관

난용 금속 타깃

고순도 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 타깃

텅스텐·몰리브덴·탄탈럼·나이오븀 등 난용 금속 및 합금 스퍼터링 타깃

나노 산화인듐 분말

순도 ≥99.99%, BET ≥6 m²/g

선진 공정으로 습식 응집 한계를 극복하여 순도 ≥99.99%, BET 비표면적 ≥6 m²/g의 고순도 나노 산화인듐 분말을 안정적으로 양산하며,

은 타깃 및 은 입자

고순도 은 타깃 및 은 입자

Low-E 유리 코팅·전극 제조 등용 고순도 은 타깃 및 은 입자.

고순도 몰리브덴 봉/몰리브덴 전극

고순도 몰리브덴 봉 및 전극

고온로·광원·진공 코팅 등 산업 분야용 고순도 몰리브덴 봉 및 전극 제품.

고순도 구리 버스바

고순도 구리 버스바 시리즈

고순도 무산소 구리 버스바, 전기·전자 업계에 광범위하게 사용

고순도 금속 소재

고순도 금속 소재 시리즈

고순도 금속 소재의 연구개발·생산·응용 전 산업체인 서비스

나노 산화주석 분말(SnO₂)

순도 ≥99.99%, BET ≥6 m²/g

순도 ≥99.99%의 나노 이산화주석(SnO₂) 분말로 BET 비표면적 ≥6 m²/g, 입경 제어 가능하며 불순물 함량이 YS/T 1225-20

고순도 무산소 구리 버스바 (맞춤)

고순도 무산소 구리 버스바

단면적 16000mm² 이하, 폭 420mm 이내 고순도 무산소 구리 버스바. 구리 함량 높고 비저항 낮으며 과부하 능력 우수, 결정립 치밀·균

백금 타깃 및 백금 입자

고순도 백금 타깃 및 백금 입자

촉매 전극·센서 등 고급 응용용 고순도 백금 타깃 및 백금 입자.

고순도 텅스텐-몰리브덴 입자

고순도 텅스텐-몰리브덴 입자 소재

열분사·분말야금 등 응용용 고순도 텅스텐·몰리브덴 입자 소재.

고순도 무산소 구리 잉곳

고순도 무산소 구리 잉곳

지능형 용해 시스템으로 생산된 고순도 무산소 구리 잉곳, 제품 안정성·일관성 효과적 보장, 산소 함량 1ppm 이하, 비소(비스무트) 불순물 1

ITO 분말

In₂O₃/SnO₂ 비율 맞춤 제작

In₂O₃와 SnO₂ 비율을 맞춤 제작할 수 있는 ITO 분말로, 고성능 ITO 타겟 제조의 핵심 성분이며 타겟의 전기·광학 특성을 결정합니다.

이형 구리 버스바

맞춤형 이형 구리 버스바

횡단면적 16, 000 mm 2 범위의 부드러운 또는 단단한 구리 배 및 막대 제품을 생산할 수 있습니다.단면 모양은 다양하고 치수는 정확하며

루테늄 타깃 및 루테늄 입자

고순도 루테늄 타깃 및 루테늄 입자

반도체 방지층·데이터 저장용 고순도 루테늄 타깃 및 루테늄 입자.

각종 고온 제품

난용 금속 고온 제품

텅스텐·몰리브덴·탄탈럼·나이오븀 등 난용 금속으로 제조한 고온 제품, 고온로·진공로 등 장비에 사용.

ITO 스퍼터링 타겟

패널 디스플레이 핵심 소재, 순도 ≥4N5

순도 ≥4N5, 밀도 ≥99.5% 이론 밀도, 회전 타겟 활용률 70% 이상으로 순도와 밀도 지표가 국내 선도급입니다. BOE·CSOT·HKC

고순도 무산소 구리 봉

고순도 무산소 구리 봉

고순도 무산소 구리 봉, 직경 8~35mm, 최대 단중 6t, 구리 순도 ≥99.99%, 산소 ≤0.001%. 전력 전송·전자·초전도 소재 등

디스플레이용 고순도 몰리브덴 및 합금 타깃

디스플레이 패널용 몰리브덴 타깃

TFT-LCD 디스플레이 패널용 고순도 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 타깃, 고세대 라인 스퍼터링 코팅에 적합.

IGZO 스퍼터링 타겟

전자 이동도 15 cm²/V·s, 글로벌 선두급

전자 이동도 15 cm²/V·s의 고성능 결정질 IGZO 타겟으로 글로벌 선두 수준에 대응하며, 국내 소수의 안정적 고세대 라인 공급업체 중 하

고순도 무산소 구리 및 구리합금 판

고순도 무산소 구리 및 구리합금 판

고순도 무산소 구리 및 구리합금 판, 구리 순도 ≥99.99%, 산소 ≤5ppm, 우수한 전기전도성·열전도성·내식성. 합금 제품 맞춤 가능.

장식·공구 코팅 Cr-CrAl-TiSi 타깃

장식 및 공구 코팅 크롬계 타깃

장식 및 공구 금형 코팅용 고순도 Cr·CrAl·TiSi 등 타깃, 성분 균일, 결정립 크기 50μm 이하.

TCOM 무인듐 타겟

무인듐 투명 도전 산화물 타겟

TCOM 무인듐 타겟은 비인듐 투명 도전 산화물 계열로 고성능 도전막을 구현하며 인듐 의존도를 낮춥니다. 순도 ≥4N, 밀도 ≥7.1로 주요 지

고순도 무산소 구리 및 구리합금 스트립

고순도 무산소 구리 및 구리합금 스트립

고순도 무산소 구리 및 구리합금 스트립, 구리 순도 ≥99.99%, 산소 ≤5ppm; 스위치·콘센트·변압기·회로기판 기판·커넥터·방열판 등에 사

OMHT 고효율 타겟

고효율 투명 도전 산화물 타겟

OMHT 고효율 타겟은 고효율 투명 도전 응용에 최적화되었습니다. 순도 ≥4N, 밀도 ≥6.9, 비저항 ≤200×10⁻³ Ω·cm, 결정립 ≤5

구리 봉

구리 봉 시리즈

구리 봉은 가공 성능과 높은 전기전도성을 갖춘 비철금속 가공 봉재의 일종. 황동봉과 동봉으로 주로 구분되며 산업·건축·전자·자동차 등 분야에 광

RPD/IZO 타겟

RPD 코팅 및 IZO 지르코늄 도핑 산화물 타겟

RPD 타겟과 IZO(지르코늄 도핑 산화인듐) 타겟은 다양한 투명 도전 응용을 커버합니다. RPD 타겟은 순도 ≥4N, 밀도 ≥6.8로 페로브스

GZO/AGZO 타겟

갈륨/알루미늄 도핑 산화아연 타겟

GZO(갈륨 도핑 산화아연)와 AGZO(알루미늄 도핑 산화아연) 타겟은 순도 ≥4N, 밀도 ≥7.1, 비저항 ≤0.3×10⁻³ Ω·cm, 결정립

무산소 구리 관

무산소 구리 관

무산소 구리 관, 구리 순도 ≥99.99%, 산소 ≤5ppm; 전자·냉동·해양 공학 등에 적합.

정밀 세라믹 구조 부품

반도체 장비용 내부식·내열 구조 부품

고순도 알루미나, 지르코니아 등 선진 세라믹을 정밀 성형·소결하여 우수한 내부식성과 내열성을 갖춘 구조 부품입니다. 식각기, PVD/CVD 장비

동관(TP)

구리 관 시리즈

구리 관(T1, T2, TP2), 구리 함량 ≥99.90%; 냉동·공조·열교환기 등에 적합.

7N 초고순도 인듐

순도 99.99999%, 극한 정제

‘진공 증류-방향성 결정화-구역 정제’ 조합 공정과 자체 개발 제불순 기술로 순도를 7N(99.99999%)급으로 안정적으로 달성하며 품질 지표

내식 백동관

백동관 시리즈

구리-니켈 합금 기반 백동관, BFe10-1-1·BZn15-20 등 등급 포함, 우수한 해수 내식성, 해양 공학·화학 업계 등에 사용.

인듐 와이어

저온 납땜 핵심 소모품, φ0.5mm 이상

인듐 와이어는 융점이 낮고(156.6°C) 연신성이 높아 저온에서 우수한 납땜성을 가집니다. 반도체 소자 저온 납땜과 진공 밀봉 공정의 핵심 소

인듐 호일

정밀 밀봉 우수 소재, 두께 0.1mm 이상

인듐 호일은 연신성과 밀봉성이 우수하여 극박 판재로 가공 가능하며 전자 패키징 심, 코팅, 반도체 소자에 우수한 소재이고 열계면 소재(TIM)로

인듐 볼

첨단 패키징 전방 원료, φ1-3mm

인듐 볼/비드는 정밀 ‘마이크로 솔더 볼’로 칩과 기판의 신뢰적 연결을 실현하며, 첨단 칩 패키징 마이크로 범프와 고성능 금속 3D 프린팅의 전

액체 금속

InGaAg/InGaSn 합금, 저융점 고열전도

액체 금속 합금(InGaAg, InGaSn)은 저융점, 높은 유동성, 높은 열전도 계수를 갖추어 불규칙한 표면을 채워 접촉 열저항을 낮춥니다.